半导体"权力游戏"：GAAFET

文 | 半导体产业纵横北京大学团队研发出全球首款二维GAAFET晶体管，以铋材料突破接触电阻量子极限，开启后摩尔时代。这项成果在《自然》发表，实测性能超越国际巨头，二维堆叠技术使中国半导体站上1纳米制程竞争最前沿。近年来，随着半导体行业的不断发展，摩尔定律逐渐失效，使得人们越来越难以改进芯片制造工艺